粤能许可〔2022〕194号
第三代半导体材料产业园项目采用的主要技术标准和建设方案符合国家相关节能法规及节能政策的要求，原则同意该项目节能报告。项目主要建设内容包括：建设6英寸碳化硅单晶衬底生产线和外延晶片生产线，主要建构筑物包括生产厂房、动力厂房、氢气站、特气站、危险品库、办公楼等，主要设备包括碳化硅单晶生长炉、碳化硅外延晶片设备、干燥机、冷水机组、空压机、水泵等。项目设计年产10万片碳化硅单晶衬底、25万片碳化硅外延晶片。项目能耗量和主要能效指标：项目建成投产后，年综合能耗不高于20566吨标准煤（当量值），其中年电力消耗量不高于16632万千瓦时；项目碳化硅单位产品综合能耗不高于56.47千克标准煤/片，其中6英寸碳化硅单晶衬底单位产品能耗不高于88.65千克标准煤/片，6英寸碳化硅外延晶片单位产品能耗不高于43.60千克标准煤/片。
本审查意见自印发之日起两年内，如项目未开工建设，自动失效。
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